EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

SI4134DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 30 В, 11.5 мОм [SO-8]
SI4134DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 30 В, 11.5 мОм [SO-8]
Производитель: Vishay, SI4134DY-T1-GE3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.014 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 5
Крутизна характеристики, S 24
Корпус soic-8

SI4134DY-T1-GE3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с N-каналом и режимом расширения 30VDS, подходящий для приложений преобразования…

SI2325DS-T1-E3, Транзистор MOSFET P-CH 150В 0.53A [SOT-23-3]
SI2325DS-T1-E3, Транзистор MOSFET P-CH 150В 0.53A [SOT-23-3]
Производитель: Vishay, SI2325DS-T1-E3

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]
SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]
Производитель: Vishay, SI2323DDS-T1-GE3
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.039 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.75
Крутизна характеристики, S 16
Корпус SOT-23-3

МОП-транзистор с каналом P, 8–20 В, Vishay Semiconductor

SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET P-канал 40D 3.1F [SOT-23-3 / TO-236]
SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET P-канал 40D 3.1F [SOT-23-3 / TO-236]
Производитель: Vishay, SI2319CDS-T1-GE3

МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor

SI2318DS-T1-E3, МОП-транзистор 40V 6A, [SOT-23-3]
SI2318DS-T1-E3, МОП-транзистор 40V 6A, [SOT-23-3]
Производитель: Vishay, SI2318DS-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]
SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]
Производитель: Vishay, SI2318CDS-T1-GE3

N-канальный МОП-транзистор, от 30 до 50 В, Vishay Semiconductor

SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор, N-канал 60В 1.9А [SOT-23]
SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор, N-канал 60В 1.9А [SOT-23]
Производитель: Vishay, SI2308BDS-T1-GE3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.192 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.66
Крутизна характеристики, S 5
Корпус SOT-23-3

SI2308BDS-T1-GE3 - это N-канальный силовой МОП-транзистор TrenchFET® с рабочей температурой 175 ° C. • Проверено 100% относительной вл…

SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 2.6А 20В [SOT-23]
SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 2.6А 20В [SOT-23]
Производитель: Vishay, SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 - это N-канальный полевой МОП-транзистор TrenchFET® на 20 В, предназначенный для переключения нагрузки портативных устройств.

SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]
SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]
Производитель: Vishay, SI2301CDS-T1-GE3

МОП-транзистор с каналом P, 8–20 В, Vishay Semiconductor

SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23]
SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23]
Производитель: Vishay, SI2301BDS-T1-E3
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/2.8А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.7
Крутизна характеристики, S 6.5
Корпус SOT-23-3

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…