SI2325DS-T1-E3, Транзистор MOSFET P-CH 150В 0.53A [SOT-23-3], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 85 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 400 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2325DS-T1-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1791131

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

530 мА

Максимальное рассеяние мощности

750 мВт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.04мм

Тип корпуса

TO-126

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

si2302cds , pdf , 218 КБ
Datasheet SI2325DS-T1-E3 , pdf , 193 КБ
Datasheet SI2325DS-T1-E3 , pdf , 197 КБ

SI2325DS-T1-E3, Транзистор MOSFET P-CH 150В 0.53A [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 85 руб.

Техническая документация