SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 40 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный МОП-транзистор, от 30 до 50 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2318CDS-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1791127

Технические параметры

Вес, г

0.05

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23

Transistor Material

Length

3.04mm

Brand

Vishay

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

5.8 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

5.6 A

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Maximum Drain Source Resistance

51 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

si2318cd , pdf , 233 КБ
Datasheet SI2318CDS-T1-GE3 , pdf , 238 КБ

SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 40 руб.

Техническая документация