SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET P-канал 40D 3.1F [SOT-23-3 / TO-236], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 23 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2319CDS-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1791129

Технические параметры

Вес, г

0.05

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23

Transistor Material

Length

3.04mm

Brand

Vishay

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

13.6 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

4.4 A

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Height

1.02mm

Maximum Drain Source Resistance

108 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

si2319cd , pdf , 224 КБ
Datasheet , pdf , 232 КБ
Datasheet SI2319CDS-T1-GE3 , pdf , 226 КБ

SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET P-канал 40D 3.1F [SOT-23-3 / TO-236] - характеристики, поставщики

Последняя цена 23 руб.

Техническая документация