RFP70N03
Производитель: Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Корпус | TO-220AB |
RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]
![RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]](/file/p_img/1788779.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, RFP50N06
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 Ом/50А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 131 |
| Корпус | TO-220AB |
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающие…
RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]
![RFD14N05L, Транзистор, N-канал, 50В, 14А, 100мОм [IPAK]](/file/p_img/1788771.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, RFD14N05L
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/14А, 5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Корпус | ipak |
RFD14N05L от Fairchild - это MSOFET-транзистор со сквозным отверстием, 50 В N канального логического уровня, в корпусе TO-251AA. Транзистор изго…
RD70HHF1, Si 30МГц 70Вт 12.5В, транзистор
Производитель: Mitsubishi, RD70HHF1
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Корпус | ceramic |
RD30HVF1-101, Si 175MHz 30W 12.5V ceramic
Производитель: Mitsubishi, RD30HVF1-101
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Корпус | металлокерамика |
![RD16HHF1, Транзистор, 30МГц, 16Вт [TO-220AB]](/file/p_img/1788546.jpg)
![RD16HHF1-101, Транзистор, 30МГц, 16Вт [TO-220AB]](/file/p_img/1788545.jpg)
RD16HHF1-501, Транзистор, 30МГц, 16Вт [TO-220AB]
![RD16HHF1-501, Транзистор, 30МГц, 16Вт [TO-220AB]](/file/p_img/1788544.jpg)
Производитель: Mitsubishi, RD16HHF1-501
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 16 |
| Корпус | to-220 |
Корпус TO-220-3
RD15HVF1-501, Транзистор, ВЧ, 175МГц, 520МГц, 15Вт [TO-220AB] (=RD15HVF1-101)
![RD15HVF1-501, Транзистор, ВЧ, 175МГц, 520МГц, 15Вт [TO-220AB] (=RD15HVF1-101)](/file/p_img/1788543.jpg)
Производитель: Mitsubishi, RD15HVF1-501
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Корпус | to-220 |
RD07MVS1-501, Транзистор, ВЧ, 175МГц, 520МГц, 7Вт [SLP]
![RD07MVS1-501, Транзистор, ВЧ, 175МГц, 520МГц, 7Вт [SLP]](/file/p_img/1788540.jpg)
Производитель: Mitsubishi, RD07MVS1-501
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Корпус | slp |