ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23]
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI2301BDS-T1-E3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1791122
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.1 Ом/2.8А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.7
Крутизна характеристики, S
6.5
Корпус
SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе
-0.95
Техническая документация
si2301bds , pdf
, 62 КБ
Datasheet SI2301BDS-T1-E3 , pdf
, 214 КБ
Datasheet , pdf
, 210 КБ