SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор с каналом P, 8–20 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2301CDS-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1791123

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

2.3 A

Максимальное рассеяние мощности

860 мВт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

112 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.04мм

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 2,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

405 pF @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Техническая документация

SI2301CD , pdf , 203 КБ
Datasheet , pdf , 194 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-GE3 , pdf , 198 КБ

SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация