ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPP20N60S5XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPP20N60S5XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPP20N60S5XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 20А [TO-220]
Последняя цена
420 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 160 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPP20N60S5XKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1792466
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.19 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
208
Корпус
PG-TO220
Техническая документация
SPP20N60S5XKSA1 , pdf
, 368 КБ
Datasheet SPP20N60S5XKSA1 , pdf
, 371 КБ