SPP20N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 0.19Ом [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, TO-220 TUBE 50; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 650V; Current, Id Cont: 20.7A; Resistance, Rds On: 0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 3V; Case Style: TO-220; Termination Type: Through Hole; Current, Idm Pulse: 62.1A; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 208W; Power, Pd: 208W; Power, Ptot: 208W; Temperature, Current: 25°C; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Temperature, Tj Max: 150°C; Temperature, Tj Min: -55°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vds: 650V; Voltage, Vds Max: 650V; Voltage, Vgs th Max: 3.9V
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SPP20N60C3XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1792465

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

650

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

20.7

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.19 Ом/13.1А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

208

Крутизна характеристики, S

17.5

Корпус

PG-TO220

Пороговое напряжение на затворе

3.9

Техническая документация

SPP20N60C3 datasheet , pdf , 339 КБ
Datasheet , pdf , 684 КБ

SPP20N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 0.19Ом [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.

Техническая документация