ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPD18P06PGBTMA1, Транзистор P-канал 60В 18.6А [TO-252] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPD18P06PGBTMA1, Транзистор P-канал 60В 18.6А [TO-252]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPD18P06PGBTMA1, Транзистор P-канал 60В 18.6А [TO-252]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS®
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, непрерывный ток стока, -80А плюс широкий диапазон рабочих температур. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPD18P06PGBTMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1792408
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
18.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.13 Ом/13.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
80
Крутизна характеристики, S
8
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en , pdf
, 531 КБ