ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPD50P03LGBTMA1, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, TO-252 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPD50P03LGBTMA1, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, TO-252
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPD50P03LGBTMA1, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, TO-252
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™
Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™ разработаны для обеспечения расширенных функций и качественных характеристик. Характеристики включают сверхнизкие коммутационные потери, сопротивление в открытом состоянии, лавинные характеристики, а также квалификацию AEC для автомобильных решений. Применения включают DC-DC, управление двигателями, автомобилестроение и eMobility.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SPD50P03LGBTMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1792409
Технические параметры
Количество Выводов
5 Выводов
Вес, г
0.44
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Корпус РЧ Транзистора
TO-252
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 139 КБ
Datasheet SPD50P03LGBTMA1 , pdf
, 384 КБ