ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF11N65M2, Транзистор MOSFET N-CH 650В 7А [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF11N65M2, Транзистор MOSFET N-CH 650В 7А [TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF11N65M2, Транзистор MOSFET N-CH 650В 7А [TO-220FP]
Последняя цена
89 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF11N65M2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793232
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-220fp
Рассеиваемая Мощность
25Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
7А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.6Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.67 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
25
Корпус
to-220fp
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 736 КБ