ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-22…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP]
Последняя цена
92 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF10NM60N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793229
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.55 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
25
Корпус
to-220fp
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
...10NM60N , pdf
, 1258 КБ
Datasheet STF10NM60N , pdf
, 1073 КБ