ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF12N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 650 В, 0.39 Ом, 10 В, 4 В, TO-220FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF12N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 650 В, 0.39 Ом, 10 В, 4 В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF12N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 650 В, 0.39 Ом, 10 В, 4 В, TO-220FP
Последняя цена
185 руб.
Сравнить
Описание
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF12N65M5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793231
Технические параметры
Вес, г
190
Структура
n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.43 Ом/4.3a, 10В
Корпус
to-220fp
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1087 КБ
Datasheet STP12N65M5 , pdf
, 1073 КБ