ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF20N65M5, Транзистор MOSFET, N канал, 650В, 18А, [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF20N65M5, Транзистор MOSFET, N канал, 650В, 18А, [TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF20N65M5, Транзистор MOSFET, N канал, 650В, 18А, [TO-220FP]
Последняя цена
330 руб.
Сравнить
Описание
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF20N65M5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793237
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-220fp
Рассеиваемая Мощность
30Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
18А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.16Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Вес, г
2.3
Линейка Продукции
MDmesh M5 Series
Техническая документация
STF20N65M5 , pdf
, 859 КБ
Datasheet , pdf
, 1053 КБ