STP11NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220FP]
![STP11NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220FP]](/file/p_img/1793575.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP11NK50ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Корпус | to-220fp |
• Очень высокий уровень характеристики dv/dt• Лавинное тестирование 100%• Минимизированный заряд затвора• Очень низкая внутренняя емк…
STP11NK50Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220AB]
![STP11NK50Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220AB]](/file/p_img/1793574.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP11NK50Z
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Корпус | to-220 |
STP11NK50Z - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH ™ с защитой от стабилитрона, полученный в результате предельной оптимизаци…
STP11NK40Z
Производитель: ST Microelectronics
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.55 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Корпус | to-220 |
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 400 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл Корпус TO22…
STP110N7F6, Транзистор N-MOSFET 68В 110A [TO-220]
![STP110N7F6, Транзистор N-MOSFET 68В 110A [TO-220]](/file/p_img/1793572.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP110N7F6
N-канал 68V 110A (Tc) 176W (Tc) сквозное отверстие TO-220
STP10NK70ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 700V 8.6A [TO-220FP]
![STP10NK70ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 700V 8.6A [TO-220FP]](/file/p_img/1793571.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP10NK70ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 700 В до 1200 В, STMicroelectronics
STP10NK60ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220FP]
![STP10NK60ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220FP]](/file/p_img/1793570.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP10NK60ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.75 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Корпус | to-220fp |
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…
STP10NK60Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220AB]
![STP10NK60Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220AB]](/file/p_img/1793569.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP10NK60Z
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.75 Ом/4.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 115 |
| Крутизна характеристики, S | 7.8 |
| Корпус | to-220 |
• Очень высокий уровень характеристики dv/dt
STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223]
![STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223]](/file/p_img/1793550.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STN4NF20L
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/0.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.3 |
| Корпус | SOT-223 |
MOSFET, N-CH, 200V, 1A, SOT-223-4 Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный…
![STN3PF06, Транзистор P-CH 60V 2.5A [SOT-223]](/file/p_img/1793549.jpg)
STN3NF06L, Транзистор, N-канал, 60В, 4A [SOT-223]
![STN3NF06L, Транзистор, N-канал, 60В, 4A [SOT-223]](/file/p_img/1793548.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STN3NF06L
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.3 |
| Корпус | SOT-223 |
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics