ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD9NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.63 Ом, 6.5 А, DPAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD9NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.63 Ом, 6.5 А, DPAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD9NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.63 Ом, 6.5 А, DPAK
Последняя цена
83 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD9NM60N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793217
Технические параметры
Вес, г
0.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.745 Ом/3.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
70
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 909 КБ
...9NM60N , pdf
, 894 КБ
Datasheet , pdf
, 568 КБ