FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]
FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью элементов, DMOS технологией для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержки низкого состояния драйвера затвора. Обладает отличным сопротивлением включенного состояния даже при маленьком напряжении драйвера затвора (2.5В). Предназначен для использования в схемах с питанием от батареи (одной литиевой, 3-х кадмиевых или NIHM), инверторах, схемах DC/DC преобразования в сотовых телефонах или пейджерах.
• Напряжение сток-исток (Vds) 25В• Напряжение затвор-исток 8В• Непрерывный ток стока 680мА• Рассеивание мощности 350мВт• Низкое сопротивление в открытом состоянии 330Ом при Vgs 4.5В• Диапазон рабочей температуры от -55°C до 150°C
![FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]](/file/p_img/1766137.jpg)