FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью элементов, DMOS технологией для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержки низкого состояния драйвера затвора. Обладает отличным сопротивлением включенного состояния даже при маленьком напряжении драйвера затвора (2.5В). Предназначен для использования в схемах с питанием от батареи (одной литиевой, 3-х кадмиевых или NIHM), инверторах, схемах DC/DC преобразования в сотовых телефонах или пейджерах.

• Напряжение сток-исток (Vds) 25В
• Напряжение затвор-исток 8В
• Непрерывный ток стока 680мА
• Рассеивание мощности 350мВт
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 330Ом при Vgs 4.5В
• Диапазон рабочей температуры от -55°C до 150°C

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDV303N

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766137

Технические параметры

Вес, г

0.05

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

0.68

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.45 Ом/0.5А, 4.5В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

0.35

Крутизна характеристики, S

1.45

Корпус

SOT-23-3

Пороговое напряжение на затворе

0.65…1.5

Техническая документация

FDV303N , pdf , 66 КБ
Datasheet FDV303N , pdf , 264 КБ
Datasheet , pdf , 147 КБ
Datasheet FDV303N , pdf , 242 КБ

FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23] - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация