ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А, -30 В, 23 мОм, -10 В, -1.6 В [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А, -30 В, 23 мОм…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А, -30 В, 23 мОм, -10 В, -1.6 В [SO-8]
Последняя цена
40 руб.
Сравнить
Описание
Корпус SO-8
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDS4935A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766125
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.023 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1
Крутизна характеристики, S
19
Корпус
soic-8
Техническая документация
FDS4935A , pdf
, 231 КБ
Datasheet FDS4935A , pdf
, 231 КБ