ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDT86102LZ, Транзистор MOSFET N-CH 100V 6.6A [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDT86102LZ, Транзистор MOSFET N-CH 100V 6.6A [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDT86102LZ, Транзистор MOSFET N-CH 100V 6.6A [SOT-223]
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDT86102LZ
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766135
Технические параметры
Вес, г
0.008
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
6.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.028 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.2
Крутизна характеристики, S
26
Корпус
SOT-223
Техническая документация
Datasheet FDT86102LZ , pdf
, 345 КБ
Datasheet FDT86102LZ , pdf
, 360 КБ