ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQB6N80TM - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FQB6N80TM
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQB6N80TM
Последняя цена
295 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766805
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Максимальное рассеяние мощности
3,13 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.95 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.67мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
65 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1150 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 934 КБ