FQP19N20, Транзистор MOSFET N-CH 200V 19.4A [TO-220], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

• 100% лавинные испытания
• Типичный низкий заряд затвора 31 нКл
• Типичный низкий уровень Crss 30 пФ

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FQP19N20

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1766816

Вес, г

16.33

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

19.44

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.15 Ом/9.7А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

140

Крутизна характеристики, S

14.5

Корпус

to-220

FQP19N20, Транзистор MOSFET N-CH 200V 19.4A [TO-220] - характеристики, поставщики