IHW20N120R3FKSA1 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]
![IHW20N120R3FKSA1 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]](/file/p_img/1772139.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IHW20N120R3FKSA1 (H20R1203)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Корпус | to247 |
| Технология/семейство | trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 310 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 387 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IGW75N65H5XKSA1, Транзистор IGBT 650V 120A [TO-247-3]
![IGW75N65H5XKSA1, Транзистор IGBT 650V 120A [TO-247-3]](/file/p_img/1772135.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGW75N65H5XKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
![IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]](/file/p_img/1772134.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGW60T120FKSA1 (G60T120)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Корпус | pg-to-247-3 |
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 480 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](/file/p_img/1772133.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGW40T120FKSA1 (G40T120)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Корпус | pg-to-247-3 |
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 270 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 480 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 105 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 48 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
![IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]](/file/p_img/1772132.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGW25T120FKSA1 (G25T120)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
| Корпус | pg-to-247-3 |
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 190 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 560 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 75 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3]
![IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3]](/file/p_img/1772127.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGB50N60TATMA1 (G50T60)
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 299 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 26 |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
![HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]](/file/p_img/1771268.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, HGTG40N60B3
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Корпус | to-247 |
| Технология/семейство | ufs |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 290 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 170 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 330 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 47 |
150 ° C • 290 Вт Общая рассеиваемая мощность при TC = 25 ° C
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
![HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]](/file/p_img/1771267.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, HGTG30N60B3D
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Корпус | to-247 |
| Технология/семейство | ufs |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 208 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 137 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 220 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 36 |
150 ° C Время падения
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
![HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]](/file/p_img/1771266.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, HGTG30N60A4D
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.6 |
| Корпус | to-247 |
| Технология/семейство | SMPS |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 463 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 150 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 |
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 75 А, Напряжение насыщения К-Э 2.6 В, Максимальная мощность…
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
![HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]](/file/p_img/1771265.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, HGTG30N60A4
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.6 |
| Корпус | to-247 |
| Технология/семейство | SMPS |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 463 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 150 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 |
HGTG30N60A4 - это IGBT SMPS, сочетающий в себе лучшие характеристики высокого входного импеданса полевого МОП-транзистора и низких потерь провод…