EL

Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
Производитель: Infineon Technologies, IKW30N60H3FKSA1 (K30H603)
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Корпус to247
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 187
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 207
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 21

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эми…

IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3]
IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3]
Производитель: Infineon Technologies, IKW20N60TFKSA1 (K20T60)
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.05
Корпус pg-to247-3
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 166
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 199
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20A

IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203), Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203), Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
Производитель: Infineon Technologies, IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203)
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Корпус pg-to247-3
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 217
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 260
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 21

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…

IKQ75N120CH3XKSA1
IKQ75N120CH3XKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 150 А, Напряжение насыщения К-Э 2.35 В, Максимальная мощно…

IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3]
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3]
Производитель: Infineon Technologies, IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2)
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.15
Корпус pg-to247-3-46
Технология/семейство trenchstop 2
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 500
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 328
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 32

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

IKP15N65F5XKSA1, Транзистор IGBT 650V 30A 105W [PG-TO220-3]
IKP15N65F5XKSA1, Транзистор IGBT 650V 30A 105W [PG-TO220-3]
Производитель: Infineon Technologies, IKP15N65F5XKSA1

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эми…

IHW30N160R5XKSA1, Биполярный транзистор с изолированным затвором
IHW30N160R5XKSA1, Биполярный транзистор с изолированным затвором
Производитель: Infineon Technologies, IHW30N160R5XKSA1

Полевой упор для траншеи IGBT 1600 В, 60 А, 263 Вт, сквозное отверстие PG-TO247-3

IHW30N160R2FKSA1 (H30R1602), Транзистор 1600V 30A 312W [TO-247-3]
IHW30N160R2FKSA1 (H30R1602), Транзистор 1600V 30A 312W [TO-247-3]
Производитель: Infineon Technologies, IHW30N160R2FKSA1 (H30R1602)
Максимальное напряжение КЭ ,В 1600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1
Корпус to247
Технология/семейство npt trench and field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 312
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 525
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…

IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]
Производитель: Infineon Technologies, IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5)
Максимальное напряжение КЭ ,В 1350
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
Корпус pg-to-247-3
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 310
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 1350 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-247-3. Характеристики: Напряжение кол…

IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3]
IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3]
Производитель: Infineon Technologies, IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5)
Максимальное напряжение КЭ ,В 1350
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85
Корпус pg-to-247-3
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 288
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 235
Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60

IGBT 1350V 40A 288W Through Hole PG-TO247-3