Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

IRG4BC30WPBF, Транзистор IGBT N-канал 600В 23А [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4BC30WPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	23
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	99
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	92
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	25

Один IGBT до 20 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом, которы…

Сравнить

IRG4BC30UDPBF, IGBT 600В 12А, [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4BC30UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	23
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	91
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	92
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	40

Сравнить

IRG4BC30KDPBF, IGBT 600В 28А, [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4BC30KDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	28
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	160
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	56
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	60

Co-Pack IGBT до 20A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику ши…

Сравнить

IRG4BC30FD-SPBF, IGBT 600В 28А D2Pak

Производитель: International Rectifier, IRG4BC30FD-SPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.8
Корпус	d2-pak
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	31
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	230
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	124
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	42

Сравнить

IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]

Производитель: International Rectifier, IRG4BC30FDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.8
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	31
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	230
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	124
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	42

IRG4BC30FDPBF - это биполярный транзистор с изолированным затвором и сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением. Он оптимизирован для средних…

Сравнить

IRG4BC30FPBF, IGBT 600В 31А 5кГц, [TO-220AB]

Производитель: International Rectifier, IRG4BC30FPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.8
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	31
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	100
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	200
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	124
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	21

Сравнить

IRG4BC20WPBF, Транзистор

Производитель: International Rectifier, IRG4BC20WPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.6
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	13
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	110
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	52
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	22

Сравнить

IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4BC20UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	13
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	93
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	52
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	39

Co-Pack IGBT до 20A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику ши…

Сравнить

IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]

Производитель: International Rectifier, IRG4BC20FDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	16
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	240
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	64
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	43

Co-Pack IGBT до 20A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику ши…

Сравнить

IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]

Производитель: Infineon Technologies, IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3)

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.35
Корпус	pg-to247-4-2
Технология/семейство	high speed h3
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	938
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	303
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	300
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	38

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Сравнить