IKW75N65EH5XKSA1 (K75EEH5), Транзистор IGBT 650В 90А 395Вт [TO-247]
![IKW75N65EH5XKSA1 (K75EEH5), Транзистор IGBT 650В 90А 395Вт [TO-247]](/file/p_img/1772172.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW75N65EH5XKSA1 (K75EEH5)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trenchstop 5 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 90 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 395 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 174 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 28 |
IGBT Trench 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-3
IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]
![IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]](/file/p_img/1772171.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW75N60TFKSA1 (K75T60)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 428 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 225 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 33 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эми…
IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]
![IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]](/file/p_img/1772170.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trenchstop 5 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 305 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 175 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 21 |
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 650 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность…
IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
![IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]](/file/p_img/1772169.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW50N60TFKSA1 (K50T60)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 299 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 26 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эми…
IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
![IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]](/file/p_img/1772168.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW50N60H3FKSA1 (K50H603)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 235 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эми…
IKW40N65F5FKSA1, Транзистор IGBT 650В 74A 255Вт [PG-TO247-3]
![IKW40N65F5FKSA1, Транзистор IGBT 650В 74A 255Вт [PG-TO247-3]](/file/p_img/1772167.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW40N65F5FKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IKW40N60H3FKSA1 (K40H603), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 40А [PG-TO247-3]
![IKW40N60H3FKSA1 (K40H603), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 40А [PG-TO247-3]](/file/p_img/1772166.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW40N60H3FKSA1 (K40H603)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 306 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 197 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 19 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эми…
IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]
![IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](/file/p_img/1772165.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trenchstop 2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 480 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 314 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 33 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]
![IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](/file/p_img/1772164.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 483 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 290 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 30 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…
IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]
![IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]](/file/p_img/1772163.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IKW30N60TFKSA1 (K30T60)
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.05 |
Корпус | pg-to247-3 |
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 45 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 187 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 254 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эми…