IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 630 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGB50N60TATMA1 (G50T60)

P/N

IGB50N60TATMA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1772127

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

175 C

Вес, г

2.2

DC Ток Коллектора

90А

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.5В

Рассеиваемая Мощность

333Вт

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Линейка Продукции

trenchstop(tm)series

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

Корпус

PG-TO263-3

Технология/семейство

trench and fieldstop

Наличие встроенного диода

нет

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

100

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

333

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

299

Рабочая температура (Tj), °C

-40…+175

Импульсный ток коллектора (Icm), А

150

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Техническая документация

IGB50N60TATMA1 , pdf , 631 КБ
Datasheet , pdf , 630 КБ
Datasheet IGB50N60TATMA1 , pdf , 643 КБ

IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 630 руб.

Техническая документация