IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 330 руб.

Сравнить

Описание

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGW25T120FKSA1 (G25T120)

P/N

IGW25T120FKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1772132

Технические параметры

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.2

Корпус

pg-to-247-3

Технология/семейство

trench and fieldstop

Наличие встроенного диода

нет

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

190

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

560

Рабочая температура (Tj), °C

-40…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Техническая документация

IGW25T120 , pdf , 351 КБ

IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 330 руб.

Техническая документация