HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

150 ° C Время падения

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG30N60B3D

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1771267

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

1.9

Корпус

to-247

Управляющее напряжение,В

Технология/семейство

ufs

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

208

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

137

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

220

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Структура

n-канал

HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247] - характеристики, поставщики