HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 580 руб.

Сравнить

Описание

Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 75 А, Напряжение насыщения К-Э 2.6 В, Максимальная мощность 463 Вт, Заряд затвора 225 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG30N60A4D

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1771266

Технические параметры

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.6

Корпус

to-247

Управляющее напряжение,В

Технология/семейство

SMPS

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

463

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

150

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

240

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Структура

n-канал

Техническая документация

HGTG30N60A4D datasheet , pdf , 210 КБ
Datasheet HGTG30N60A4D , pdf , 258 КБ
Datasheet HGTG30N60A4D , pdf , 272 КБ

HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247] - характеристики, поставщики

Последняя цена 580 руб.

Техническая документация