ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGW75N65H5XKSA1, Транзистор IGBT 650V 120A [TO-247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGW75N65H5XKSA1, Транзистор IGBT 650V 120A [TO-247-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IGW75N65H5XKSA1, Транзистор IGBT 650V 120A [TO-247-3]
Последняя цена
820 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IGW75N65H5XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1772135
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
175 C
Вес, г
7.5
DC Ток Коллектора
120А
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.65В
Рассеиваемая Мощность
395Вт
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Линия Продукции
TRENCHSTOP 5 Series
Техническая документация
IGW75N65H5XKSA1 , pdf
, 1709 КБ
Datasheet IGW75N65H5XKSA1 , pdf
, 1701 КБ
Datasheet IGW75N65H5XKSA1 , pdf
, 1755 КБ