ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]
Последняя цена
32 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO261
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BSP250,115
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759773
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
5Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Непрерывный Ток Стока
-1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-2.8В
Вес, г
0.4
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet BSP250,115 , pdf
, 94 КБ
Datasheet BSP250,115 , pdf
, 209 КБ
Datasheet BSP250.115 , pdf
, 209 КБ