BSP322PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 100В 1A [SOT-223], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 109 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS®
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, непрерывный ток стока, -80А плюс широкий диапазон рабочих температур. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP322PH6327XTSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1759778

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1.8Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-100В

Непрерывный Ток Стока

-1А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.6Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

-10В

Пороговое Напряжение Vgs

-1.5В

Вес, г

0.39

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BSP322P (Infineon) , pdf , 505 КБ
Datasheet BSP322PH6327XTSA1 , pdf , 450 КБ

BSP322PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 100В 1A [SOT-223] - характеристики, поставщики

Последняя цена 109 руб.

Техническая документация