ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS®
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, непрерывный ток стока, -80А плюс широкий диапазон рабочих температур. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSP171PH6327XTSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759772
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.39
Максимальный непрерывный ток стока
1,9 А
Максимальное рассеяние мощности
1.8 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Длина
6.5мм
Серия
SIPMOS
Типичное время задержки выключения
208 нс
Тип корпуса
SOT-223
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3 + Tab
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
365 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 359 КБ
Datasheet BSP171P , pdf
, 617 КБ
Datasheet BSP171PH6327XTSA1 , pdf
, 615 КБ
Datasheet , pdf
, 615 КБ