ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSP149H6906XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 200V 660MA [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BSP149H6906XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 200V 660MA [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSP149H6906XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 200V 660MA [SOT-223]
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-Ch 200V 140mA SOT-223-3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BSP149H6906XTSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759771
Технические параметры
Вес, г
0.048
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.8 Ом/0.66А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.8
Крутизна характеристики, S
0.8
Корпус
SOT-223
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 403 КБ