EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3]
NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, NDS352AP

NDS352AP - это силовой полевой транзистор с усилением логического уровня с P-каналом, изготовленный с использованием запатентованной Fairchild т…

NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
Производитель: Fairchild Semiconductor, NDS331N
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.21 Ом/1.3А, 2.7В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 3.5
Корпус SuperSOT-3/SOT-23-3

Корпус TO236

NCEP01T13A, Транзистор N-MOSFET 100В 135А [TO-220]
NCEP01T13A, Транзистор N-MOSFET 100В 135А [TO-220]
Производитель: Wuxi NCE Power Semiconductor, NCEP01T13A

NCE65T180F, Транзистор MOSFET N-CH 650V 21A [TO-220F]
NCE65T180F, Транзистор MOSFET N-CH 650V 21A [TO-220F]
Производитель: Wuxi NCE Power Semiconductor, NCE65T180F

NCE6075K, Транзистор MOSFET N-CH 60В 75А [D-PAK]
Производитель: Wuxi NCE Power Semiconductor, NCE6075K

NCE4688, Транзистор N-MOSFET 60В 7.6А [SOIC-8]
NCE4688, Транзистор N-MOSFET 60В 7.6А [SOIC-8]
Производитель: VBsemi Elec, NCE4688

MTP3055VL, Транзистор MOSFET N-CH 60В 12А [TO-220AB]
MTP3055VL, Транзистор MOSFET N-CH 60В 12А [TO-220AB]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MTP3055VL

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с и…

MTD3055VL, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.18 Ом, 5 В, 1.5 В [DPAK]
MTD3055VL, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.18 Ом, 5 В, 1.5 В [DPAK]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MTD3055VL
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.18 Ом/6a, 5В

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с и…

MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]
MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]
Производитель: NXP Semiconductor, MRF1535NT1

MRF1518NT1, RF транзистор, N-канал, 520МГц, 4А, 12.5В, 8Вт [PLD-1.5]
MRF1518NT1, RF транзистор, N-канал, 520МГц, 4А, 12.5В, 8Вт [PLD-1.5]
Производитель: Freescale, MRF1518NT1
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 62.5
Корпус pld-1.5