ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MTD3055VL, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.18 Ом, 5 В, 1.5 В [DPAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
MTD3055VL, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.18 Ом, 5 В, 1.5 В [D…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
MTD3055VL, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 60 В, 0.18 Ом, 5 В, 1.5 В [DPAK]
Последняя цена
27 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
MTD3055VL
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1783983
Технические параметры
Вес, г
0.503
Структура
n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.18 Ом/6a, 5В
Техническая документация
Datasheet MTD3055VL , pdf
, 427 КБ
Datasheet MTD3055VL , pdf
, 437 КБ