EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL]
Производитель: ON Semiconductor, NTMFS4C09NT1G

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor

NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL]
NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL]
Производитель: ON Semiconductor, NTMFS4935NT1G
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 93
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0032 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Крутизна характеристики, S 32
Корпус SO-8FL

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor

NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]
Производитель: ON Semiconductor, NTMFS4C06NT1G

МОП-транзистор NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM

NTD6414ANT4G, Транзистор MOSFET N-канал 100В 32А [D-PAK]
NTD6414ANT4G, Транзистор MOSFET N-канал 100В 32А [D-PAK]
Производитель: ON Semiconductor, NTD6414ANT4G

NTD6414ANT4G - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, обеспечивающий напряжение стока 100 В и постоянный ток стока 32 А. • Сн…

NTD4809NT4G, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 11.5 В, 2.5 В
NTD4809NT4G, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 11.5 В, 2.5 В
Производитель: ON Semiconductor, NTD4809NT4G

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor

NTD20P06LT4G, Транзистор P-CH 60V 15.5A [DPAK]
NTD20P06LT4G, Транзистор P-CH 60V 15.5A [DPAK]
Производитель: ON Semiconductor, NTD20P06LT4G

Power MOSFET 60V 15.5A 150 mOhm Single P-Channel DPAK Logic Level Корпус TO252, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток…

NTA4151PT1G, Транзистор P-канал -20В 760мА [SC75-3]
NTA4151PT1G, Транзистор P-канал -20В 760мА [SC75-3]
Производитель: ON Semiconductor, NTA4151PT1G
Структура p-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.36 Ом/0.35a, 4.5В

P-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 20 В, ON Semiconductor

NP55N055SDG-E1-AY, Транзистор N-MOSFET 55В 55A [TO-252]
NP55N055SDG-E1-AY, Транзистор N-MOSFET 55В 55A [TO-252]
Производитель: Renesas Technology, NP55N055SDG-E1-AY

NE3210S01-T1B
NE3210S01-T1B
Производитель: Renesas Technology
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 2
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.01
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.165

NDS9948, Транзистор 2P-канала 60В 2.3А 0.25Ом [SO-8]
NDS9948, Транзистор 2P-канала 60В 2.3А 0.25Ом [SO-8]
Производитель: ON Semiconductor, NDS9948
Структура 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.25 Ом/2.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 5
Корпус soic-8

Полевые МОП-транзисторы PowerTrench® с двойным каналом P, Fairchild Semiconductor МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимиз…