ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NCEP01T13A, Транзистор N-MOSFET 100В 135А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Wuxi NCE Power Semiconductor
NCEP01T13A, Транзистор N-MOSFET 100В 135А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NCEP01T13A, Транзистор N-MOSFET 100В 135А [TO-220]
Последняя цена
158 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Wuxi NCE Power Semiconductor
Артикул
NCEP01T13A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1784266
Технические параметры
Вес, г
2.7
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
135mA(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
210W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
4.6mО© @ 60A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 250uA
Техническая документация
NCEP01T13Adatasheet-16172088266 , pdf
, 344 КБ