ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]
Последняя цена
3160 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
MRF1535NT1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1783565
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
200 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Рассеиваемая Мощность
35Вт
Напряжение Истока-стока Vds
40В
Непрерывный Ток Стока
6А
Вес, г
3
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Корпус РЧ Транзистора
TO-272
Максимальная Рабочая Частота
520МГц
Минимальная Рабочая Частота
400МГц
Техническая документация
MRF1535N , pdf
, 668 КБ