EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

MMF60R580P, Транзистор полевой, N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм [TO-220F]
MMF60R580P, Транзистор полевой, N-канал, Id=8А, Vdss=600В, Vgs(th)=2…4В, Rds(on)=580 мОм [TO-220F]
Производитель: Inchange Semiconductor, MMF60R580P
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.58 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 26
Корпус TO-220F

MMF60R580P, Транзистор MOSFET N-CH 600V 8A [TO-220F]
MMF60R580P, Транзистор MOSFET N-CH 600V 8A [TO-220F]
Производитель: MAP/Middle Atlantic Products, MMF60R580P
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.58 Ом/2.5a, 10В

MMBFJ175LT1G, Транзистор JFET 25V 10mA, [SOT-23-3 / TO-236]
MMBFJ175LT1G, Транзистор JFET 25V 10mA, [SOT-23-3 / TO-236]
Производитель: ON Semiconductor, MMBFJ175LT1G

P-канальный JFET, ON Semiconductor

MMBF5485, Транзистор, RF, N-канал, 25В, 0.01А, (=BF245C), [SOT23]
MMBF5485, Транзистор, RF, N-канал, 25В, 0.01А, (=BF245C), [SOT23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBF5485
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.01
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.225
Корпус SOT-23-3

Корпус TO236

MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3]
MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3]
Производитель: ON Semiconductor, MMBF170LT1G

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBF170
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.83
Корпус SOT-23-3

MMBF170 от Fairchild - это полевые транзисторы с N-канальным усилением для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Это устройство отличается вы…

MGFC36V5258-51, GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8
MGFC36V5258-51, GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8
Производитель: Mitsubishi, MGFC36V5258-51

ME4542, Транзистор N/P-MOSFET 30В [SOP-8_150mil]
ME4542, Транзистор N/P-MOSFET 30В [SOP-8_150mil]
Производитель: MQTSUKI, ME4542

ME20N15-G, Транзистор N-MOSFET 150В 20.8А [TO-252-3L]
ME20N15-G, Транзистор N-MOSFET 150В 20.8А [TO-252-3L]
Производитель: MQTSUKI, ME20N15-G

ME15N10, Транзистор MOSFET N-CH 1000В 15A [TO-252 / D-PAK]
ME15N10, Транзистор MOSFET N-CH 1000В 15A [TO-252 / D-PAK]
Производитель: VBsemi Elec, ME15N10