NCE65T180F, Транзистор MOSFET N-CH 650V 21A [TO-220F] - характеристики, поставщики

NCE65T180F, Транзистор MOSFET N-CH 650V 21A [TO-220F]

Последняя цена 190 руб.

NCE65T180F, Транзистор MOSFET N-CH 650V 21A [TO-220F]

Сравнить

Информация

Производитель

Wuxi NCE Power Semiconductor

Артикул

NCE65T180F

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1784265

Технические параметры

Вес, г

2.6

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

21A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

33.8W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

180mО© @ 10.5A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

NCE65T180F , pdf , 613 КБ
Datasheet , pdf , 623 КБ