MTP3055VL, Транзистор MOSFET N-CH 60В 12А [TO-220AB], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

MTP3055VL

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1783991

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.911

Максимальный непрерывный ток стока

12 А

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7,8 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

345 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-15 В, +15 В

Техническая документация

MTP3055VL-D , pdf , 202 КБ
Datasheet MTP3055VL , pdf , 159 КБ
Datasheet MTP3055VL , pdf , 143 КБ

MTP3055VL, Транзистор MOSFET N-CH 60В 12А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация