Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

MDU1511RH, Транзистор Trench MOSFET N-CH 30В 100А [PowerDFN 5x6]
MDU1511RH, Транзистор Trench MOSFET N-CH 30В 100А [PowerDFN 5x6]
Производитель: MagnaChip Semiconductor, MDU1511RH

MDF11N60BTH, Транзистор MOSFET N-CH 660В 11А [TO-220F]
MDF11N60BTH, Транзистор MOSFET N-CH 660В 11А [TO-220F]
Производитель: MagnaChip Semiconductor, MDF11N60BTH

Полевой МОП-транзистор высокого напряжения (HV) N-канальный полевой МОП-транзистор высокого напряжения с низким сопротивлени…

MDD7N25
Производитель: MAP/Middle Atlantic Products

MCU80N06-TP, Транзистор N-MOSFET 60В 80А [DPAK]
MCU80N06-TP, Транзистор N-MOSFET 60В 80А [DPAK]
Производитель: Micro Commercial Components, MCU80N06-TP

LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92]
LND150N3-G, Транзистор Depletion-Mode DMOS FET N-CH 500В 30мА [TO-92]
Производитель: Microchip Technology, LND150N3-G

LND150N3-G - это высоковольтный N-канальный транзистор на 500 В с режимом истощения (нормально-включенный), использующий технологию бокового DMO…

КТ3102ВМ (2013г), Транзистор NPN 30В 0.2А 0.25Вт 200Мгц TO92 (КТ-26)
КТ3102ВМ (2013г), Транзистор NPN 30В 0.2А 0.25Вт 200Мгц TO92 (КТ-26)
Производитель: АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», КТ3102ВМ (2013г)
Структура npn
Корпус кт-26(то-92)

KSP13BU, Транзистор NPN Darlington 30В 0.5А [TO-92]
KSP13BU, Транзистор NPN Darlington 30В 0.5А [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, KSP13BU

Транзисторы Дарлингтона NPN, Fairchild Semiconductor

КП901А, Транзистор, N-канал, генераторный [КТ-42]
КП901А, Транзистор, N-канал, генераторный [КТ-42]
Производитель: Россия, КП901А
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 70
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 20
Крутизна характеристики, S 100
Корпус kt-42

КП723А, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-220]
КП723А, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-220]
Производитель: Россия, КП723А
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 Ом/31А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 15
Корпус kt-28