STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220FP]
![STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220FP]](/file/p_img/1793616.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK80ZFP
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4 Ом/2.15А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
Корпус | to-220fp |
Транзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут испол…
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220]
![STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220]](/file/p_img/1793615.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK80Z
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4 Ом/2.15А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Корпус | to-220 |
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 4.3 А; Rси(вкл): 2.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32.4 нКл Корпус T…
STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP]
![STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP]](/file/p_img/1793614.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK60ZFP
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6 Ом/2.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
Корпус | to-220fp |
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…
STP5NK100Z, Транзистор MOSFET N-CH 1000В 3.5A [TO-220]
![STP5NK100Z, Транзистор MOSFET N-CH 1000В 3.5A [TO-220]](/file/p_img/1793613.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK100Z
STP5NK100Z - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH3 ™ с минимальным зарядом затвора. Этот новый силовой полевой МОП-транзисто…
STP5N52K3, Транзистор, SuperMESH 3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4А [TO-220AB]
![STP5N52K3, Транзистор, SuperMESH 3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4А [TO-220AB]](/file/p_img/1793612.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP5N52K3
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 525 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/2.2А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
Корпус | to-220 |
STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB]
![STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB]](/file/p_img/1793611.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP55NF06
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом/27.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Корпус | to-220 |
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…
STP55NE06, Mosfet SINGLE FEATURE SIZE, N-канал, 60 В, 0.019 Ом, 55А, TO-220 obs

Производитель: ST Microelectronics, STP55NE06
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
Крутизна характеристики, S | 35 |
Корпус | to-220 |
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB]
![STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB]](/file/p_img/1793609.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP4NK80Z
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/1.5А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
Крутизна характеристики, S | 2.9 |
Корпус | to-220 |
MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Ca…
STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP]
![STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP]](/file/p_img/1793608.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP4NK60ZFP
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/2А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
Крутизна характеристики, S | 3 |
Корпус | to-220fp |
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 4A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds…
STP4NB80FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 800 В, 3 Ом, 4А [TO-220FP]
![STP4NB80FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 800 В, 3 Ом, 4А [TO-220FP]](/file/p_img/1793607.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP4NB80FP
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.3 Ом/2А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
Крутизна характеристики, S | 2.9 |
Корпус | to-220fp |