Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220FP]
STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK80ZFP
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Корпус to-220fp

Транзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут испол…

STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220]
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK80Z
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Корпус to-220

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 4.3 А; Rси(вкл): 2.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32.4 нКл Корпус T…

STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP]
STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK60ZFP
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.6 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Корпус to-220fp

Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

STP5NK100Z, Транзистор MOSFET N-CH 1000В 3.5A [TO-220]
STP5NK100Z, Транзистор MOSFET N-CH 1000В 3.5A [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP5NK100Z

STP5NK100Z - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH3 ™ с минимальным зарядом затвора. Этот новый силовой полевой МОП-транзисто…

STP5N52K3, Транзистор, SuperMESH 3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4А [TO-220AB]
STP5N52K3, Транзистор, SuperMESH 3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4А [TO-220AB]
Производитель: ST Microelectronics, STP5N52K3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Корпус to-220

STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB]
STP55NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В 50А [TO-220AB]
Производитель: ST Microelectronics, STP55NF06
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Корпус to-220

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…

STP55NE06, Mosfet SINGLE FEATURE SIZE, N-канал, 60 В, 0.019 Ом, 55А, TO-220 obs
STP55NE06, Mosfet SINGLE FEATURE SIZE, N-канал, 60 В, 0.019 Ом, 55А, TO-220 obs
Производитель: ST Microelectronics, STP55NE06
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 55
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 130
Крутизна характеристики, S 35
Корпус to-220

STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB]
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB]
Производитель: ST Microelectronics, STP4NK80Z
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80
Крутизна характеристики, S 2.9
Корпус to-220

MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Ca…

STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP]
STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STP4NK60ZFP
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики, S 3
Корпус to-220fp

MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 4A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds…

STP4NB80FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 800 В, 3 Ом, 4А [TO-220FP]
STP4NB80FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 800 В, 3 Ом, 4А [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STP4NB80FP
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.3 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 2.9
Корпус to-220fp