EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

STP4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, TO-220
STP4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, TO-220
Производитель: ST Microelectronics, STP4N62K3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.95 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Корпус to-220

STP4N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А [TO-220AB]
STP4N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А [TO-220AB]
Производитель: ST Microelectronics, STP4N150
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 160
Корпус to-220

N-Channel MDmesh ™, 800 В / 1500 В, STMicroelectronics

STP42N65M5, MOSFET транзистор
STP42N65M5, MOSFET транзистор
Производитель: ST Microelectronics, STP42N65M5

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных тополо…

STP40N10 TO220
Производитель: ST Microelectronics
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 22
Корпус to-220

STP3NB90FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 900 В, 4 Ом, 3.5А [TO-220FP]
STP3NB90FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 900 В, 4 Ом, 3.5А [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STP3NB90FP
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.2 Ом/1.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 1.6
Корпус to-220fp

STP3NB60FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 600 В, 3.6 Ом, 2.2А [TO-220FP]
STP3NB60FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 600 В, 3.6 Ом, 2.2А [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STP3NB60FP
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.6 Ом/1.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80
Крутизна характеристики, S 2
Корпус to-220fp

STP3N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620В, 2.7А, 2.2Ом, [TO-220]
STP3N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620В, 2.7А, 2.2Ом, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP3N62K3
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 Ом/1.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Корпус to-220

STP3N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 6 Ом, 2.5А [TO-220]
STP3N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 6 Ом, 2.5А [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP3N150
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 9 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 2.6
Корпус to-220

N-Channel MDmesh ™, 800 В / 1500 В, STMicroelectronics

STP32N65M5
Производитель: ST Microelectronics

STP30NF20, Транзистор N-MOSFET 200В 30A [TO-220]
STP30NF20, Транзистор N-MOSFET 200В 30A [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP30NF20

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics