STP30NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 35А [TO-220]
![STP30NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 35А [TO-220]](/file/p_img/1793596.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP30NF10
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
STP2N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 3 Ом, 2.2 А, TO-220

Производитель: ST Microelectronics, STP2N62K3
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.6 Ом/1.1А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
Корпус | to-220 |
STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB]
![STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB]](/file/p_img/1793594.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP26NM60N
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.165 Ом/10А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
Корпус | to-220 |
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
STP24NM60N, Транзистор MOSFET N-канал 600В 17А [TO-220]
![STP24NM60N, Транзистор MOSFET N-канал 600В 17А [TO-220]](/file/p_img/1793593.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP24NM60N
• 100% лавинное тестирование
STP24NF10, Транзистор N-MOSFET 100В 26А [TO-220AB]
![STP24NF10, Транзистор N-MOSFET 100В 26А [TO-220AB]](/file/p_img/1793592.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP24NF10
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 26 А; Rси(вкл): 60 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл Корпус TO22…
STP21N90K5, Транзистор, SuperMESH 5, N-канал, 900 В, 0.25 Ом, 18.5А [TO-220AB]
![STP21N90K5, Транзистор, SuperMESH 5, N-канал, 900 В, 0.25 Ом, 18.5А [TO-220AB]](/file/p_img/1793591.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP21N90K5
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.299 Ом/9А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
Корпус | to-220 |
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 900 В; Iс(25°C): 18.5 А; Rси(вкл): 0.25...0.299 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 43 нКл …
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]
![STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]](/file/p_img/1793590.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP20NM60FP
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом/10А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
Крутизна характеристики, S | 11 |
Корпус | to-220fp |
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
STP20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 290 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]
![STP20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 290 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]](/file/p_img/1793589.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP20NM60FD
Структура | n-канал |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом/10a, 10В |
Корпус | to-220 |
STP20NM60FD - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор FDmesh ™, отличающийся низкой входной емкостью и низким зарядом затвора. FDmesh ™ с…
STP18N60M2, Транзистор N-MOSFET 600В 13A [TO-220]
![STP18N60M2, Транзистор N-MOSFET 600В 13A [TO-220]](/file/p_img/1793588.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP18N60M2
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics…
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220]
![STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220]](/file/p_img/1793587.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP16N65M5
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.299 Ом/6А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
Корпус | to-220 |
Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных тополо…