ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB]
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Case Style SOT-78B Current, Idm Pulse 12A N-channel Gate Charge 22.5nC No. of Pins 3 Power, Pd 80W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 3.5ohm Temperature, Tj Max 150°C Temperature, Tj Min -55°C Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 800V Voltage, Vds Max 800V Voltage, Vgs Rds N Channel 10V Voltage, Vgs th Min 3V dv/dt 4.5V/µs
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP4NK80Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793609
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
80
Крутизна характеристики, S
2.9
Корпус
to-220
Пороговое напряжение на затворе
3…4.5
Техническая документация
STP4NK80 , pdf
, 544 КБ