ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 О…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220]
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 4.3 А; Rси(вкл): 2.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32.4 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.4 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP5NK80Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793615
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Корпус
to-220
Техническая документация
STP5NK80Z datasheet , pdf
, 395 КБ
Datasheet , pdf
, 348 КБ
Datasheet STP5NK80Z , pdf
, 381 КБ