ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP4NB80FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 800 В, 3 Ом, 4А [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP4NB80FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 800 В, 3 Ом, 4А [TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP4NB80FP, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 800 В, 3 Ом, 4А [TO-220FP]
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP4NB80FP
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793607
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
3.3 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
100
Крутизна характеристики, S
2.9
Корпус
to-220fp
Пороговое напряжение на затворе
5
Техническая документация
STP4NB80FP datasheet , pdf
, 360 КБ